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5.0(1 समीक्षा करें)5 बेचा गया#1 में सबसे लोकप्रिय इग्BT मॉड्यूल के लिए ट्रांजिस्टर
मुख्य विशेषताएं
मुख्य उद्योग विनिर्देश
मॉडल संख्या
CRG75T60AK3HD / CRG75T60AK3SD
प्रकार
द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर
ब्रांड नाम
original
पैकेज प्रकार
सोचा होल
अधिक विशेषताएं
विवरण
Insulated Gate Bipolar
उत्पत्ति के प्लेस
China
पैकेज/मामले
TO-247
डी/सी
newest
आवेदन
UPS
आपूर्तिकर्ता प्रकार
रिटेलर
मीडिया उपलब्ध
फोटो
वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
-
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
-
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
-
बढ़ते प्रकार
छेद के माध्यम से
रोकनेवाला-आधार (R1)
-
रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
-
FET के फ़ीचर
तर्क स्तर गेट
नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
-
वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
-
पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
-
गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
-
इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
-
आवृत्ति
-
वर्तमान रेटिंग (Amps)
-
शोर आंकड़ा
-
शक्ति-उत्पादन
-
वोल्टेज-रेटेड
-
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
-
वीजीएस (अधिकतम)
-
आईजीबीटी प्रकार
Insulated Gate Bipolar
विन्यास
एकल स्विच
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
-
इनपुट समाई (Cies) @ Vce
-
इनपुट
-
एनटीसी Thermistor
-
वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
-
वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
-
वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
-
वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
-
प्रतिरोध-आरडीएस (पर)
-
वोल्टेज-उत्पादन
-
वोल्टेज-ऑफसेट (वीटी)
-
करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
-
वर्तमान-घाटी (चतुर्थ)
-
वर्तमान-पीक
-
ट्रांजिस्टर प्रकार
Insulated Gate Bipolar
बढ़ते प्रकार
Throught Hole
लीड समय
आपूर्तिकर्ता की ओर से उत्पाद के विवरण
चेतावनी/अस्वीकरण
कैलिफोर्निया प्रस्ताव 65 उपभोक्ता चेतावनीअधिक दृश्य
10 - 999 नग
₹159.74
1000 - 4999 नग
₹102.94
5000 - 49999 नग
₹97.62
>= 50000 नग
₹44.37
विभिन्नताएं
कुल विकल्प:2 विशिष्टता.
अभी चुनेंविशिष्टता(2)
CRG75T60AK3HD
CRG75T60AK3SD
शिपिंग
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