बढ़ते प्रकार
AT32F403ACGT7
उत्पत्ति के प्लेस
Guangdong, China
आपूर्तिकर्ता प्रकार
मूल निर्माता, एजेंसी, रिटेलर, Other
मीडिया उपलब्ध
Datasheet, फोटो, EDA के/सीएडी मॉडल, Other
वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
1
वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
1
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
1
वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)
1
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
1
रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
1
FET के फ़ीचर
सिलिकॉन कार्बाइड (इस प्रकार)
नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
1
वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
1
पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
1
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
1
गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
1
इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
1
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
1
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
1
इनपुट समाई (Cies) @ Vce
1
वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
1
वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
1
वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
1
वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
1
करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
1
