बढ़ते प्रकार
Surface Mount
उत्पत्ति के प्लेस
Guangdong, China
प्रकार
Bipolar Junction Transistor
आपूर्तिकर्ता प्रकार
Other
वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
A
वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
-
वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)
-
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
-
बढ़ते प्रकार
Surface Mount/Through Hole
रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
-
नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
-
वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
-
पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
-
गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
-
इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
-
वर्तमान रेटिंग (Amps)
100MA
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
-
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
-
इनपुट समाई (Cies) @ Vce
-
वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
-
वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
-
वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
-
वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
-
करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
-
ट्रांजिस्टर प्रकार
mrf150 rf power transistor
